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缩小芯片尺寸和高纵横比结构需要对离子能量进行严格控制。
通过eVoS™平台，AE引入了偏置技术的范式转变。
通过最大限度地提高定制离子能量的能力，eVoS能够在非常小的尺寸上精确地控制蚀刻和沉积几何形状。
晶片表面电压和离子能量分布（IED）的直接控制使工艺工程师能够针对特定的工艺结果优化偏置性能，确保敏感特征的形成。
此外，与替代技术相比，快速数字计量和新颖的控制算法能够生产更窄的IED。
